一种半导体集成电路器件
基本信息
| 申请号 | CN201911407524.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111081707B | 公开（公告）日 | 2021-04-16 |
| 申请公布号 | CN111081707B | 申请公布日 | 2021-04-16 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I;H01L27/108(2006.01)I;H01L21/8242(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 沈鼎瀛 | 申请（专利权）人 | 厦门半导体工业技术研发有限公司 |
| 代理机构 | 北京乐知新创知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 江宇 |
| 地址 | 361008福建省厦门市软件园三期诚毅北大街62号109单元0206号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体集成电路器件及其制造方法。其中，半导体集成电路器件包括：基板；在基板之上，并列有动态随机存取存储器(DRAM)单元和电阻式随机存取存储器(RRAM)单元；其中，DRAM单元和RRAM单元相互隔离，且DRAM单元的电容器与RRAM单元的可变电阻结构均采用金属‑绝缘体‑金属(MIM)结构，可使用相同的工艺和材料制备。如此，可将DRAM单元与RRAM单元以较为简易的生产工艺制备在同一块芯片上，既能减少数据传输损耗，还能节约空间，满足微缩化需求，从而大大提高了产品的性价比。 |
