一种提高硅片最终清洗金属程度的方法及装置
基本信息
| 申请号 | CN201810981196.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109326505B | 公开（公告）日 | 2021-12-03 |
| 申请公布号 | CN109326505B | 申请公布日 | 2021-12-03 |
| 分类号 | H01L21/02（2006.01）I;H01L21/67（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 杉原一男;洪漪;贺贤汉;赵剑锋 | 申请（专利权）人 | 上海中欣晶圆半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海顺华专利代理有限责任公司 | 代理人 | 顾兰芳 |
| 地址 | 200444 上海市宝山区山连路181号1幢 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种提高硅片最终清洗金属程度的方法，包括：步骤一，在氢氟酸药液槽加入纯水进行充分的循环20分钟；步骤二，将颗粒过滤器的颗粒过滤芯和金属过滤器的金属过滤芯都充分浸润在异丙醇中；步骤三，先安装颗粒过滤芯，然后在氢氟酸药液槽加满纯水，循环至少三次，每次循环20分钟；步骤四，再安装金属过滤芯，然后在氢氟酸药液槽加满纯水，循环至少三次，每次循环20分钟；步骤五，洗净机正常添加药液后，清洗模拟片3小时后重新更换药液，再清洗模拟片，使用电感耦合等离子质谱仪测试模拟片的金属污染情况。 |
