一种用于硅片清洗抛光的混酸清洗液及抛光硅片清洗方法
基本信息
| 申请号 | CN202111031405.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113736580A | 公开（公告）日 | 2021-12-03 |
| 申请公布号 | CN113736580A | 申请公布日 | 2021-12-03 |
| 分类号 | C11D7/08（2006.01）I;C11D7/26（2006.01）I;H01L21/02（2006.01）I | 分类 | 动物或植物油、脂、脂肪物质或蜡；由此制取的脂肪酸；洗涤剂；蜡烛; |
| 发明人 | 杉原一男;贺贤汉;李飞;赵剑锋;洪漪 | 申请（专利权）人 | 上海中欣晶圆半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海申浩律师事务所 | 代理人 | 赵建敏 |
| 地址 | 200444上海市宝山区山连路181号1幢 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种用于硅片清洗抛光的混酸清洗液及抛光硅片清洗方法，不对DHF腐蚀槽的结构形式进行改进，通过提供一种由氢氟酸、有机酸以及去离子水组成的混酸清洗液，并在SC‑1及臭氧水清洗后配合使用HF/有机酸/去离子水→O3/去离子水→干燥的工艺，实现在DHF槽中仅有颗粒过滤器而无金属过滤器的存在的情况下，高效降低硅片表面的金属水平，保持清洁度的持续性。经过测试，能够将抛光硅片表面MCL水平由当前的1E10至少降低至1E8Atoms/cm。 |
