一种单片式硅片使用有机酸的清洗方法
基本信息
| 申请号 | CN202110849318.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113658851A | 公开（公告）日 | 2021-11-16 |
| 申请公布号 | CN113658851A | 申请公布日 | 2021-11-16 |
| 分类号 | H01L21/02（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 杉原一男;贺贤汉;赵剑锋 | 申请（专利权）人 | 上海中欣晶圆半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海申浩律师事务所 | 代理人 | 赵建敏 |
| 地址 | 200444上海市宝山区山连路181号1幢 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种单片式硅片使用有机酸的清洗方法，包括如下步骤：制定喷射清洗顺序：清洗顺序一、的的清洗顺序二、的DHF和0.1～3.0vol％的清洗方式为：仅重复清洗顺序一，仅重复清洗顺序二或者使用清洗顺序一和二的组合方式；利用了有机酸的鳌合效应，确立了单片式清洗机使用有机酸的最佳清洗方法，可以实现硅片表面金属离子“防止再附着”的目的，实现提高抛光硅片的金属水平从1E9至1E8Atoms/cm。 |
