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    上海比英半导体科技有限公司

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    • 地址:上海市虹口区塘沽路309号14层C室(集中登记地)
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    专利信息10

    序号 专利名称 专利类型 申请号 公开(公告)号 公布日期
    1 一种有机半导体薄膜及其制备方法 发明专利 CN202110077398.9 CN112724962A 2021-04-30
    2 基于原位巯基硅烷钝化制备铯铅卤钙钛矿量子点的方法 发明专利 2020112445177 CN112251221A 2021-01-22
    3 基于巯基硅烷配体交换制备高性能钙钛矿量子点的方法 发明专利 CN201911395343.1 CN111088045A 2020-05-01
    4 单分散硫化铅纳米团簇的低温制备方法 发明专利 CN201911325895.5 CN111003725A 2020-04-14
    5 基于无机钙钛矿量子点与共轭有机小分子共晶结构的光学薄膜 发明专利 CN201810049420.7 CN108192593B 2020-02-18
    6 基于双侧氧化锌和P型有机主体的量子点电致发光器件 发明专利 CN201811007076.1 CN109166977B 2019-01-08
    7 基于双侧氧化锌和P型有机主体的量子点电致发光器件 发明专利 CN201811007076.1 CN109166977A 2019-01-08
    8 一种基于荧光纳米材料的喷墨打印和计算机辅助表征的衬底表面探测方法 发明专利 CN201610178718.9 CN105869158B 2018-08-28
    9 基于无机钙钛矿量子点与共轭有机小分子共晶结构的光学薄膜 发明专利 CN201810049420.7 CN108192593A 2018-06-22
    10 一种基于荧光纳米材料的喷墨打印和计算机辅助表征的衬底表面探测方法 发明专利 CN201610178718.9 CN105869158A 2016-08-17

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