一种积累型沟道结构的T-gate沟槽碳化硅晶体管及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN202110568683.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113299748A | 公开（公告）日 | 2021-08-24 |
| 申请公布号 | CN113299748A | 申请公布日 | 2021-08-24 |
| 分类号 | H01L29/739;H01L29/78;H01L29/423;H01L29/16;H01L29/10;H01L21/336;H01L21/331 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 何志;郑柳 | 申请（专利权）人 | 重庆伟特森电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 重庆西南华渝专利代理有限公司 | 代理人 | 郭桂林 |
| 地址 | 400700 重庆市北碚区云汉大道117号附237号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种积累型沟道结构的T‑gate沟槽碳化硅晶体管，包括衬底、缓冲层和外延薄膜；外延薄膜顶部中心的设置有沟槽，沟槽的侧壁和底部分别设有第一栅氧化层和第二栅氧化层；沟槽内部填充有栅电极；沟槽两侧对称设有基底和基区；基区顶部覆盖源区；源区和栅电极的顶部覆盖有隔离介质层；源区、基区、基底和隔离介质层顶部设有源电极；衬底背面设有漏电极。本发明的沟槽型碳化硅晶体管采用积累型沟道结构代替传统器件中的反型层沟道，以此来提高沟道载流子迁移率，降低晶体管的沟道电阻和阈值电压。 |
