一种沟槽型SiCIGBT结构及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202010306447.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111490098A | 公开（公告）日 | 2020-08-04 |
| 申请公布号 | CN111490098A | 申请公布日 | 2020-08-04 |
| 分类号 | H01L29/739(2006.01)I | 分类 | - |
| 发明人 | 何钧;刘敏 | 申请（专利权）人 | 重庆伟特森电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 重庆中流知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 郭桂林 |
| 地址 | 400700重庆市北碚区云汉大道117号附237号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种沟槽型碳化硅IGBT的结构，在普通IGBT的基础上，本发明提供两种形态，在一种结构中，第二导电类型掺杂区被第一导电类型掺杂区三面包围，第一导电类型掺杂区上表面与第二导电类型掺杂区上表面齐平；在另一种结构中，第二导电类型掺杂区还被源极金属三面包围，第一导电类型掺杂区上表面齐平或低于第二导电类型掺杂区下表面。并且本发明通过在外延层刻蚀出凹槽，增加了氧化的表面积，提高了游离碳元素的产出，氧化后退火促使碳元素向漂移区内扩散，从而填补由于碳原子缺失形成的空位，从而提高非平衡载流子的寿命，改善材料的导电特性，提高了碳化硅IGBT的导通性能。 |
