一种碳化硅二极管元胞结构
基本信息
| 申请号 | CN201922270391.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN211719595U | 公开（公告）日 | 2020-10-20 |
| 申请公布号 | CN211719595U | 申请公布日 | 2020-10-20 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 郑柳 | 申请（专利权）人 | 重庆伟特森电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 重庆中流知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 郭桂林 |
| 地址 | 400700重庆市北碚区云汉大道117号附237号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种碳化硅二极管元胞结构，其中心填充区域为第一p型注入区，其外层填充区域为第二p型注入区，在中心填充区域与外层填充区域之间的区域为无注入n型区域，其特征在于，包括第二p型注入区的横截面呈六边形，无注入n型区域的横截面呈圆形或十二边形，第一p型注入区的横截面呈圆形或十二边形，其中：呈圆形或十二边形的无注入n型区域的元胞元胞排列组合。本实用新型有效避免球面结电场聚集导致的耐压偏低的问题，进一步提升碳化硅二极管性能，并增强了实用性。 |
