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一种半导体器件终端结构及制备方法

基本信息

申请号	CN202111197173.3	申请日	-
公开（公告）号	CN113948491A	公开（公告）日	2022-01-18
申请公布号	CN113948491A	申请公布日	2022-01-18
分类号	H01L23/498（2006.01）I;H01L29/40（2006.01）I;H01L21/48（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	黄己森	申请（专利权）人	重庆伟特森电子科技有限公司
代理机构	重庆西南华渝专利代理有限公司	代理人	郭桂林
地址	400700重庆市北碚区云汉大道117号附237号
法律状态	-

摘要

本发明属于半导体器件制造领域，公开了一种半导体器件终端结构，包括半导体外延薄膜，且半导体外延薄膜表面自下而上依次覆盖有场板、焊接层和钝化层，在场板上表面还设有介质层，且介质层位于焊接层和钝化层下方；焊接层下表面还设有覆盖半导体外延薄膜和场板的势垒层。本发明结构简单，易于加工；将介质层放到金属层下方，可防止介质层因应力而受损，进一步延长了器件的使用寿命。制备上述器件的方法为S1，在外延薄膜上淀积场板，再在场板上淀积介质层；S2，先介质层和场板；S3，淀积势垒层，图形化，腐蚀，退火；S4，淀积介质层，图形化，腐蚀，退火；S5，涂覆钝化层，图形化后固化钝化层。本发明步骤简单易操作，可实现大规模生产，易于量产和推广。