一种沟槽型碳化硅晶体管及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110672504.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113506826A | 公开（公告）日 | 2021-10-15 |
| 申请公布号 | CN113506826A | 申请公布日 | 2021-10-15 |
| 分类号 | H01L29/78（2006.01）I;H01L29/739（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L21/04（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 郑柳;何志 | 申请（专利权）人 | 重庆伟特森电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 重庆西南华渝专利代理有限公司 | 代理人 | 郭桂林 |
| 地址 | 400700重庆市北碚区云汉大道117号附237号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明属于半导体技术领域，公开了一种沟槽型碳化硅晶体管，包括碳化硅半导体薄膜、基区掺杂区、源区掺杂区、栅沟槽、绝缘介质薄膜Ⅰ、绝缘介质薄膜Ⅱ、栅电极、基区导电薄膜、隔离介质薄、源电极和漏电极。本发明将主结边缘刻蚀成台面形状，改变了器件中结边缘的形貌，从而缓解结边缘附近电场集中，提高了器件反向击穿电压、耐压性能和可靠性。本发明还公开了一种沟槽型碳化硅晶体管的制备方法，在制备栅氧化层时，首先在栅沟槽内沉积多晶硅或非晶硅，然后再对其进行刻蚀和氧化，以此来加强沟槽底部栅氧化层的厚度，防止栅氧化层被击穿，进一步提高了晶体管的可靠性。 |
