一种用皮秒激光照射制备碳化硅结构的方法
基本信息
| 申请号 | CN201910501481.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112071740A | 公开（公告）日 | 2020-12-11 |
| 申请公布号 | CN112071740A | 申请公布日 | 2020-12-11 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/04(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 刘敏;何钧;何志 | 申请（专利权）人 | 重庆伟特森电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 重庆中流知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 郭桂林 |
| 地址 | 400700重庆市北碚区云汉大道117号附237号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 为了解决现有技术中碳化硅刻蚀效率低的问题，本发明提供了一种用皮秒激光照射制备碳化硅结构的方法，包括以下步骤：S100：清洗碳化硅晶片；S200：通过皮秒激光照射碳化硅待刻蚀区域；S300：采用干法刻蚀机对碳化硅样品进行干法刻蚀，形成刻蚀沟槽；S400：干法刻蚀完毕之后去除刻蚀掩膜层；S500：去除刻蚀沟槽侧壁和沟槽底部的刻蚀损伤层。本发明在具体使用中，将碳化硅清洗后通过皮秒激光束照射碳化硅待刻蚀区域的表面，持续一定时间后，破坏该区域深度范围内碳化硅材料的碳硅键，提高该区域碳化硅的干法刻蚀速度，刻蚀效率高。 |
