一种碳化硅半导体器件的制作方法
基本信息
| 申请号 | CN202110908129.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113643970A | 公开（公告）日 | 2021-11-12 |
| 申请公布号 | CN113643970A | 申请公布日 | 2021-11-12 |
| 分类号 | H01L21/28（2006.01）I;H01L21/337（2006.01）I;H01L21/329（2006.01）I;H01L21/04（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 何志;郑柳 | 申请（专利权）人 | 重庆伟特森电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 重庆西南华渝专利代理有限公司 | 代理人 | 郭桂林 |
| 地址 | 400700重庆市北碚区云汉大道117号附237号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明属于半导体技术领域，具体公开了一种碳化硅半导体器件的制作方法，具体包括以下步骤：S1，在碳化硅衬底表面采用外延工艺进行外延，先后得到缓冲层和外延层；S2，在外延层上先后进行介质薄膜沉积和光刻形成图形化第一掩膜层，再通过刻蚀形成栅极沟槽；S3，在步骤S2得到的样品外延层表面再次进行外延生长形成栅极掺杂区；S4，采用化学机械抛光，去除外延层表面多余的外延薄膜，对样品表面进行平坦化处理。本发明采用外刻蚀工艺，再次外延和表面平坦化相结合的工艺，可实现多种碳化硅器件结构的制备；且制备工艺简单，实用性强，适合大规模生产。 |
