一种沟槽转角处具有厚栅氧化层的SiC-MOSFET栅的制备方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种沟槽转角处具有厚栅氧化层的SiC-MOSFET栅的制备方法

基本信息

申请号	CN202010307604.6	申请日	-
公开（公告）号	CN111489963A	公开（公告）日	2020-08-04
申请公布号	CN111489963A	申请公布日	2020-08-04
分类号	H01L21/04(2006.01)I	分类	-
发明人	何钧;刘敏	申请（专利权）人	重庆伟特森电子科技有限公司
代理机构	重庆中流知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	郭桂林
地址	400700重庆市北碚区云汉大道117号附237号
法律状态	-

摘要

一种沟槽转角处具有厚栅氧化层的SiC‑MOSFET栅的制备方法，步骤为：1在外延层上表面刻蚀形成沟槽；2在外延层上表面和沟槽内壁生长多晶硅或非晶硅；3沉积完全覆盖外延层上表面并填充满沟槽的SiO2层；4对外延层上表面平坦化处理，使得SiO2层上表面与外延层上表面齐平；5刻蚀SiO2层，保留沟槽底部的氧化层；6刻蚀SiO2层上表面水平面以上的多晶硅或非晶硅;7刻蚀沟槽底部的SiO2层；8高温氧化沟槽侧壁裸露的碳化硅和多晶硅或非晶硅，使其形成氧化层。采用本发明的制备方法，利用SiO2代替光刻胶作为掩膜层，氧化沟槽底部的多晶硅或非晶硅，起到了加厚沟槽转角处氧化层的作用，其增加了沟槽转角处反向电场强度承受力。