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一种基于液晶结构的可调垂直腔面发射激光器

基本信息

申请号	CN202020137498.7	申请日	-
公开（公告）号	CN211063049U	公开（公告）日	2020-07-21
申请公布号	CN211063049U	申请公布日	2020-07-21
分类号	H01S5/183(2006.01)I	分类	-
发明人	李迈克;杨沅钊;张林	申请（专利权）人	中合博芯（重庆）半导体有限公司
代理机构	重庆信航知识产权代理有限公司	代理人	穆祥维
地址	401573重庆市合川区信息安全产业城草街街道嘉合大道500号
法律状态	-

摘要

本实用新型提供一种基于液晶结构的可调垂直腔面发射激光器，包括高反射率的下DBR层，下DBR层底面设有下液晶盒层，下DBR层表面顺序形成有下氧化限制层、有源区域、上氧化限制层、高反射率的上DBR层和上液晶盒层，上下液晶盒层包括顺序层叠的液晶阳极、液晶盒和液晶阴极，液晶盒包括相对配置的下取向层和上取向层及设置在上下取向层边缘的封框胶，上下取向层和封框胶围成的液晶盒体内灌注有液晶和散布有隔离球。本申请通过上下氧化限制层、上下DBR层和上下液晶盒层结构相结合，可以实现顶发射和底发射两种模式切换，并通过分别改变上下两个液晶层区域的电压来改变上下液晶的折射系数，进而更加灵活多样地调控出光波长，实现VCSEL成本更低。