一种NPN型横向SOI AlGaN/Si HBT器件结构及其制备方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种NPN型横向SOI AlGaN/Si HBT器件结构及其制备方法

基本信息

申请号	CN202010042610.3	申请日	-
公开（公告）号	CN111106164A	公开（公告）日	2020-05-05
申请公布号	CN111106164A	申请公布日	2020-05-05
分类号	H01L29/06;H01L29/267;H01L29/36;H01L29/417;H01L29/47;H01L29/737;H01L21/331	分类	基本电气元件;
发明人	李迈克	申请（专利权）人	中合博芯（重庆）半导体有限公司
代理机构	重庆信航知识产权代理有限公司	代理人	穆祥维
地址	401573 重庆市合川区信息安全产业城草街街道嘉合大道500号
法律状态	-

摘要

本发明提供一种NPN型横向SOI AlGaN/Si HBT器件结构，包括N型轻掺杂半绝缘单晶硅衬底，N型轻掺杂半绝缘单晶硅衬底表面形成有埋氧层，埋氧层表面从左至右形成有厚度相同而宽度不同的发射区、基区和集电区，发射区和集电区里从下至上淀积有SiON氧化层和N型掺杂AlGaN层，基区里生长有掺杂浓度从左至右由大到小渐变的P型重掺杂Si层，发射区、基区和集电区表面用金属硅化物对应生长有发射极、基极和集电极的电极引出层，相邻电极区域之间通过隔离氧化层绝缘隔离。本申请还提供一种前述器件结构制备方法。本申请能提高AlGaN层的界面特性和基区电子迁移率，减小基区渡越时间，提高器件频率使频率特性更加优良，同时金属硅化物层还能提高器件开关速度和截止频率。