一种NPN型横向GaN/SiGe HBT器件结构及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202010042636.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111129120A | 公开（公告）日 | 2020-05-08 |
| 申请公布号 | CN111129120A | 申请公布日 | 2020-05-08 |
| 分类号 | H01L29/06;H01L29/267;H01L29/36;H01L29/417;H01L29/47;H01L29/737;H01L21/331 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李迈克 | 申请（专利权）人 | 中合博芯（重庆）半导体有限公司 |
| 代理机构 | 重庆信航知识产权代理有限公司 | 代理人 | 穆祥维 |
| 地址 | 401573 重庆市合川区信息安全产业城草街街道嘉合大道500号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种NPN型横向GaN/SiGe HBT器件结构，包括蓝宝石衬底，蓝宝石衬底表面形成有SiON氧化层，SiON氧化层表面从左至右形成有厚度相同而宽度不同的发射区、基区和集电区，发射区和集电区里淀积有N型掺杂GaN层，基区里生长有Ge组分从左至右逐渐变大的P型掺杂Si1‑rGer层且0 |
