一种超结器件以及其拐角结构的布局设计和制造工艺
基本信息
| 申请号 | CN201410629307.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN105655384A | 公开（公告）日 | 2016-06-08 |
| 申请公布号 | CN105655384A | 申请公布日 | 2016-06-08 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 胡浩 | 申请（专利权）人 | 成都星芯微电子科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 610200 四川省成都市双流县西南航空港经济开发区物联网产业园内 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种超结器件的拐角结构及采用该拐角结构的超结器件，将拐角区域内的长条形的第二导电类型的掺杂图案，根据拐角的边界变化(由直线变成了曲线)，作出相应的结构图案优化调整，使在拐角区域内的第一导电类型掺杂与第二导电类型掺杂的面积比例与普通元胞区域内的比例几乎相同，使第一导电类型杂质电荷与第二导电类型杂质的电荷互相平衡，从而使该超结器件在拐角处也能达到与普通元胞区几乎相同的耐压值。 |
