基于三极管充电的半导体启动器件及制造工艺
基本信息
| 申请号 | CN201410477845.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN104362148A | 公开（公告）日 | 2015-02-18 |
| 申请公布号 | CN104362148A | 申请公布日 | 2015-02-18 |
| 分类号 | H01L27/06(2006.01)I;H02M1/36(2007.01)I;H01L21/822(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 胡浩 | 申请（专利权）人 | 成都星芯微电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京天奇智新知识产权代理有限公司 | 代理人 | 杨春 |
| 地址 | 610207 四川省成都市双流县西南航空港经济开发区物联网产业园区内 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种基于三极管充电的半导体启动器件，低压电源模块的一端与电阻的一端连接，电阻的另一端与NPN三极管的基极和电子开关的第一端连接，反馈控制模块的正极输入端、NPN三极管的发射极和电容的第一端连接作为电源输出端，低压电源模块的另一端与NPN三极管的集电极连接作为电源输入端，电容的第二端、电子开关的第二端和反馈控制模块的负极输入端均接地。本发明还公开了一种半导体启动器件的制造工艺，用BCD工艺集成NPN三极管。本发明所述半导体启动器件采用集成的NPN三极管直接对电容充电，因其自身导通时电阻小、功耗小，所以电源效率高、损耗小、发热量低，在完成充电后能自动关断电路，能耗低。 |
