基于场效应管充电的半导体启动器件及制造工艺
基本信息
| 申请号 | CN201410477853.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN104347627A | 公开（公告）日 | 2015-02-11 |
| 申请公布号 | CN104347627A | 申请公布日 | 2015-02-11 |
| 分类号 | H01L27/06(2006.01)I;H02M1/36(2007.01)I;H01L21/822(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 胡浩 | 申请（专利权）人 | 成都星芯微电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京天奇智新知识产权代理有限公司 | 代理人 | 杨春 |
| 地址 | 610207 四川省成都市双流县西南航空港经济开发区物联网产业园区内 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种基于场效应管充电的半导体启动器件，包括场效应管、电子开关、低压电源模块、电阻、电容、反馈控制模块，由场效应管直接为电容充电，由反馈控制模块配合电子开关和低压电源模块根据输出电压大小控制场效应管的通、断。本发明还公开了一种半导体启动器件的制造工艺，主要针对场效应管Q1和低压电源模块的制造进行改进。本发明所述半导体启动器件采用场效应管直接对电容充电，因其自身导通时电阻小、功耗小，所以在输入电压较小时也能产生较大的充电电流，可降低电阻功耗和发热量；充电结束后，由反馈控制模块使电子开关导通而关断场效应管，停止充电，只有很小的漏电电流，达到降低损耗、提高电源效率的目的。 |
