基于螺旋状多晶硅式场效应管充电的半导体启动器件及制造工艺
基本信息
| 申请号 | CN201410478929.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN104362149A | 公开（公告）日 | 2015-02-18 |
| 申请公布号 | CN104362149A | 申请公布日 | 2015-02-18 |
| 分类号 | H01L27/06(2006.01)I;H02M1/36(2007.01)I;H01L21/822(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 胡浩 | 申请（专利权）人 | 成都星芯微电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京天奇智新知识产权代理有限公司 | 代理人 | 杨春 |
| 地址 | 610207 四川省成都市双流县西南航空港经济开发区物联网产业园区内 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种基于螺旋状多晶硅式场效应管充电的半导体启动器件，电阻的第一端和场效应管的漏极连接作为输入端，电阻的第二端、场效应管的栅极、电子开关的第一端和二极管的负极连接，场效用管的源极、反馈控制模块的负极信号输入端与电容的第一端连接作为输出端，反馈控制模块的输出端与电子开关的控制输入端连接，反馈控制模块的正极信号输入端、电容的第二端、电子开关的第二端、稳压二极管的正极均接地。本发明还公开了一种半导体启动器件的制造工艺，用BCD工艺集成场效应管、电阻和稳压二极管。本发明所述半导体启动器件采用集成的场效应管直接对电容充电，因其自身导通时电阻小、功耗小，所以电源效率高、损耗小、发热量低。 |
