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专利信息7
| 序号 | 专利名称 | 专利类型 | 申请号 | 公开(公告)号 | 公布日期 |
|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 实现近红外到可见光转换的上转换器件及其制备方法 | 发明专利 | CN201910959406.5 | CN110649083B | 2022-02-08 |
| 2 | 一种硅基红外上转换器件及其制备方法 | 发明专利 | CN202111006508.9 | CN113690375A | 2021-11-23 |
| 3 | 实现近红外到可见光转换的上转换器件及其制备方法 | 发明专利 | CN201910959406.5 | CN110649083A | 2020-01-03 |
| 4 | 一种有机单晶微米带P-N异质结阵列的生长方法 | 发明专利 | CN201810176116.9 | CN108342779B | 2019-08-30 |
| 5 | 一种有机单晶微米带P-N异质结阵列的生长方法 | 发明专利 | CN201810176116.9 | CN108342779A | 2018-07-31 |
| 6 | 一种将电极图形转移在任意基底上并构建电子器件的方法 | 发明专利 | CN201410152683.2 | CN103956320B | 2016-08-31 |
| 7 | 一种将电极图形转移在任意基底上并构建电子器件的方法 | 发明专利 | CN201410152683.2 | CN103956320A | 2014-07-30 |
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