化合物半导体柔性碳基膜及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201911046108.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110862076B | 公开（公告）日 | 2021-09-28 |
| 申请公布号 | CN110862076B | 申请公布日 | 2021-09-28 |
| 分类号 | C01B32/05（2017.01）I;C08G73/10（2006.01）I;C08J5/18（2006.01）I;C08L79/08（2006.01）I;C23C14/48（2006.01）I;C23C14/58（2006.01）I;C30B29/68（2006.01）I;C30B33/02（2006.01）I | 分类 | 无机化学; |
| 发明人 | 刘萍 | 申请（专利权）人 | 深圳丹邦科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 深圳新创友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王震宇 |
| 地址 | 518000广东省深圳市高新技术产业园北区朗山一路8号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种化合物半导体柔性碳基膜及其制备方法，包括以下步骤：S1、将含有苯基的酐与二胺杂化得到热塑性聚酰亚胺树脂前驱体；S2、使用所述热塑性聚酰亚胺树脂前驱体制备聚酰亚胺薄膜；S3、对聚酰亚胺薄膜碳化黑铅化，并对聚酰亚胺薄膜掺杂纳米金属，进行离子注入和离子交换，其中，使膜中的纳米单斜晶体相变为四方晶体，并由单晶变为超晶格；S4、对步骤S3得到的材料进行高温退火处理，生成超柔韧的超薄化合物半导体膜。本发明提供了高性能、超柔韧、超薄层微结构的化合物半导体材料。 |
