具有静电去除装置的半导体制作工艺设备

基本信息

申请号 CN201910747813.X 申请日 -
公开(公告)号 CN112397412A 公开(公告)日 2021-02-23
申请公布号 CN112397412A 申请公布日 2021-02-23
分类号 H01L21/67(2006.01)I;H05F3/02(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 马志超;林国豪;谈文毅 申请(专利权)人 联芯集成电路制造(厦门)有限公司
代理机构 北京市柳沈律师事务所 代理人 陈小雯
地址 361000福建省厦门市翔安区万家春路八九九号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开一种具有静电去除装置的半导体制作工艺设备,其中该半导体制作工艺设备包括一液体处理制作工艺单元以及一空气气流系统。该液体处理制作工艺单元包括一承载台用于托持一晶片、一旋转机构与该承载台连接、一液体分配器用于将一液体分配至设置在该承载台上的晶片的表面上。该空气气流系统用于在该液体处理制作工艺单元中产生一空气气流直接吹拂设置在该承载台上的该晶片的该表面。一离子产生器,整合在该空气气流系统中,用于提供离子至该空气气流中。