电阻式存储器结构及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN201911390437.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113130737A | 公开（公告）日 | 2021-07-16 |
| 申请公布号 | CN113130737A | 申请公布日 | 2021-07-16 |
| 分类号 | H01L45/00（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 黄清俊;邓允斌;欧阳锦坚;谈文毅 | 申请（专利权）人 | 联芯集成电路制造（厦门）有限公司 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陈小雯 |
| 地址 | 361100福建省厦门市翔安区万家春路899号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开一种电阻式存储器结构及其制作方法，其中该电阻式存储器结构包含一基底，一电阻式存储器埋入基底，其中电阻式存储器包含一下电极、一金属氧化物层和一上电极，一第一掺杂区埋入基底并且围绕下电极，一晶体管设置于电阻式存储器的一侧，其中晶体管包含一栅极结构位于基底上，一源极位于栅极结构的一侧并且埋入基底，一漏极位于栅极结构的另一侧并且埋入基底，其中第一掺杂区和漏极接触。 |
