半导体存储装置
基本信息
| 申请号 | CN201910822091.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112447739A | 公开（公告）日 | 2021-03-05 |
| 申请公布号 | CN112447739A | 申请公布日 | 2021-03-05 |
| 分类号 | H01L27/11521(2017.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 颜榕峻;王建智;杨光;吕嘉伟;袁林珊;谈文毅 | 申请（专利权）人 | 联芯集成电路制造（厦门）有限公司 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陈小雯 |
| 地址 | 361100福建省厦门市翔安区万家春路899号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开一种半导体存储装置，其包括基底、浮置栅极、层间介电层、互连结构、蚀刻停止层、导电结构以及开口。浮置栅极设置于基底上。层间介电层设置于浮置栅极上。互连结构设置于层间介电层中。蚀刻停止层设置于层间介电层上。导电结构贯穿蚀刻停止层且与互连结构电连接。开口贯穿蚀刻停止层，且开口与浮置栅极的至少一部分于基底的厚度方向上重叠。 |
