一种先进制作工艺控制方法
基本信息
申请号 | CN201610893739.9 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN107946172B | 公开(公告)日 | 2021-07-13 |
申请公布号 | CN107946172B | 申请公布日 | 2021-07-13 |
分类号 | H01L21/02;H01L21/66 | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 王凌翔 | 申请(专利权)人 | 联芯集成电路制造(厦门)有限公司 |
代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陈小雯 |
地址 | 福建省厦门市翔安区万家春路八九九号 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明公开一种先进制作工艺控制方法。首先形成一栅极结构于一基底上,然后形成一间隙壁于栅极结构旁,并进行一第一测量步骤来测量间隙壁的临界尺寸。接着形成一氧化层于间隙壁两侧的基底表面,进行一清洗步骤去除部分氧化层并同时依据间隙壁的临界尺寸调整清洗步骤所进行的时间来控制氧化层的厚度,进行一第二测量步骤来测量氧化层的厚度,以及形成一源极/漏极区域于间隙壁两侧的基底内。 |
