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晶片涂布制作工艺

基本信息

申请号 CN201910831370.2 申请日 -
公开（公告）号 CN112447549A 公开（公告）日 2021-03-05
申请公布号 CN112447549A 申请公布日 2021-03-05
分类号 H01L21/67(2006.01)I;H05B3/20(2006.01)I;H05B1/02(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 陈有证;谈文毅 申请（专利权）人 联芯集成电路制造（厦门）有限公司
代理机构 北京市柳沈律师事务所 代理人 陈小雯
地址 361000福建省厦门市翔安区万家春路899号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开一种晶片涂布制作工艺。首先，放置一晶片于支撑柱上，且晶片与位于晶片下方的一加热盘之间具有一间距，使晶片能以一第一温度涂布。接着，判定一目标晶片制作工艺温度与第一温度的差异，以改变晶片的一涂布温度，其中当目标晶片制作工艺温度大于第一温度时，直接加热加热盘至目标晶片制作工艺温度；当目标晶片制作工艺温度小于第一温度但大于一最低涂布温度时，仅增加晶片与加热盘之间的间距，其中最低涂布温度为在没有冷却加热盘且晶片与加热盘之间具有一最大间距时的温度；当目标晶片制作工艺温度小于最低涂布温度时，增加晶片与加热盘之间的间距且冷却加热盘。