一种浸没式散热的高频传输结构及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202011591317.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112750797B | 公开（公告）日 | 2022-07-12 |
| 申请公布号 | CN112750797B | 申请公布日 | 2022-07-12 |
| 分类号 | H01L23/44（2006.01）I;H01L23/66（2006.01）I;H01L21/50（2006.01）I;H01P3/12（2006.01）I;H01P1/207（2006.01）I;H01Q13/02（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李君;曹立强;戴风伟 | 申请（专利权）人 | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 代理机构 | 上海智晟知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 214028江苏省无锡市新区菱湖大道200号中国传感网国际创新园D1栋 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开一种浸没式散热的高频传输结构，包括堆叠的第一晶圆及第二晶圆，其中，第一晶圆上台阶型的第一腔体与第二晶圆上的第二腔体形成深腔结构，深腔结构的表面设置有金属层，内部填充非导电液态媒质，形成传输波导或滤波器，芯片的部分表面贴装于深腔结构内，与金属层电连接，此外，第二晶圆上设置有通孔，一方面与泵、热交换器连通，另一方面可用作开口型天线。 |
