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具有窄沟道图形的制备方法

基本信息

申请号 CN202011510456.4 申请日 -
公开（公告）号 CN112768138A 公开（公告）日 2021-05-07
申请公布号 CN112768138A 申请公布日 2021-05-07
分类号 H01B13/00(2006.01)I;H01B5/14(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 吴馨洲;朱思猛;潘丽;赵苗芬 申请（专利权）人 安捷利电子科技（苏州）有限公司
代理机构 苏州创元专利商标事务所有限公司 代理人 俞春雷
地址 215129江苏省苏州市苏州市高新区鹿山路188号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种具有窄沟道图形的制备方法，包括以下步骤：在基材上涂覆功能性浆料，根据设计的图形采用遮光物质进行遮光，进行闪灯烧结，移除遮光物质，再次进行闪灯烧结，得到具有窄沟道的图形膜片。本发明的一种具有窄沟道图形的制备方法，其采用闪灯烧结技术，对浆料进行两次烧结，第一次烧结时采用遮光物质进行遮光，使得被遮光的边缘处在烧结时产生收缩，进而得到20‑80μm的窄沟道，且闪灯烧结对基材的影响小。采用该制备方法能够能够快速且方便的在图形上制备得到沟道。