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专利信息5

序号	专利名称	专利类型	申请号	公开（公告）号	公布日期
1	一种IO口间无相互干扰的低电容多通道瞬态电压抑制器	发明专利	CN201410673950.0	CN104465649B	2017-10-03
2	一种阶梯式沟槽MOS肖特基二极管器件	发明专利	CN201410148707.7	CN103956389B	2017-07-11
3	一种IO口间无相互干扰的低电容多通道瞬态电压抑制器	发明专利	CN201410673950.0	CN104465649A	2015-03-25
4	一种高介电常数栅介质材料沟槽MOS肖特基二极管器件	发明专利	CN201410307573.9	CN104051548A	2014-09-17
5	一种阶梯式沟槽MOS肖特基二极管器件	发明专利	CN201410148707.7	CN103956389A	2014-07-30

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