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专利信息6
序号 | 专利名称 | 专利类型 | 申请号 | 公开(公告)号 | 公布日期 |
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1 | 半导体器件用金铍中间合金材料的制备方法和应用 | 发明专利 | CN200910244557.9 | CN102115833B | 2013-11-27 |
2 | 金砷合金材料及其制备方法 | 发明专利 | CN200810239843.1 | CN101748307B | 2012-07-25 |
3 | 半导体器件用金铍合金材料及其制备方法和应用 | 发明专利 | CN200910244557.9 | CN102115833A | 2011-07-06 |
4 | 锡锗砷合金及其制备方法和应用 | 发明专利 | CN200710176494.9 | CN101423907B | 2010-12-22 |
5 | 金砷合金材料及其制备方法 | 发明专利 | CN200810239843.1 | CN101748307A | 2010-06-23 |
6 | 锡锗砷合金及其制备方法和应用 | 发明专利 | CN200710176494.9 | CN101423907A | 2009-05-06 |
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