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序号	专利名称	专利类型	申请号	公开（公告）号	公布日期
1	一种用于掩埋型异质结激光器的电流限制结构	实用新型	CN201920110028.9	CN209358061U	2019-09-06
2	一种提高电流注入的掩埋型分布反馈半导体结构	实用新型	CN201920110029.3	CN209358060U	2019-09-06
3	一种边射型半导体激光器芯片结构	实用新型	CN201920099157.2	CN209233160U	2019-08-09
4	一种可关断的连续调谐半导体激光器芯片结构	实用新型	CN201920102072.5	CN209233159U	2019-08-09

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