商标信息7
序号 | 商标名称 | 国际分类 | 注册号 | 状态 | 申请日期 | 操作 |
---|---|---|---|---|---|---|
1 | VI VOLTAIC | 09类-科学仪器 | 50590315 | 等待驳回复审 | 2020-10-21 | 查看 |
2 | VI 沃达科半导体 | 09类-科学仪器 | 50590307 | 等待实质审查 | 2020-10-21 | 查看 |
3 | 沃达科半导体 VOLTAIC SEMICONDUCTOR | 09类-科学仪器 | 42967714 | 商标无效 | 2019-12-10 | 查看 |
4 | VOLTAIC SEMICONDUCTOR VI | 09类-科学仪器 | 42965019 | 等待实质审查 | 2019-12-10 | 查看 |
5 | 图形 | 09类-科学仪器 | 36468734 | 商标已注册 | 2019-02-25 | 查看 |
6 | VOLTAIC | 09类-科学仪器 | 36468733 | 商标无效 | 2019-02-25 | 查看 |
7 | 图形 | 09类-科学仪器 | 30288472 | 初审公告 | 2018-04-17 | 查看 |
专利信息6
序号 | 专利名称 | 专利类型 | 申请号 | 公开(公告)号 | 公布日期 |
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1 | 一种MOSFET | 实用新型 | CN202120385825.5 | CN214313215U | 2021-09-28 |
2 | 一种MOSFET及其制造方法 | 发明专利 | CN202110194286.1 | CN112768531A | 2021-05-07 |
3 | 新型共漏双MOSFET结构 | 实用新型 | CN201921374651.1 | CN210325796U | 2020-04-14 |
4 | 平面结构沟道金氧半场效晶体管 | 实用新型 | CN201920963740.3 | CN210224042U | 2020-03-31 |
5 | 新型共漏双MOSFET结构及其形成方法 | 发明专利 | CN201910780080.X | CN110400802A | 2019-11-01 |
6 | 平面结构沟道金氧半场效晶体管及其加工方法 | 发明专利 | CN201910555620.4 | CN110176500A | 2019-08-27 |
软件著作权0
作品著作权0
网站备案4
序号 | 网站名 | 网址 | 备案号 | 主办单位性质 | 审核日期 |
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1 | - | www.voltaic.com.cn | 苏ICP备18051901号 | 企业 | 2022-03-24 |
2 | - | 218.90.150.238 | 苏ICP备18051901号 | 企业 | 2022-03-24 |
3 | 无锡市沃达科半导体技术有限公司 | www.voltaic.com.cn | 苏ICP备18051901号 | 企业 | 2020-05-13 |
4 | 沃达科半导体 | 218.90.150.238 | 苏ICP备18051901号 | 企业 | 2020-05-13 |
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