商标信息0
专利信息36
序号 | 专利名称 | 专利类型 | 申请号 | 公开(公告)号 | 公布日期 |
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1 | 低信噪比下的硅单晶生长图像的自适应随机共振去噪方法 | 发明专利 | CN201810199562.1 | CN108550116B | 2021-11-09 |
2 | 低信噪比下的硅单晶生长图像的自适应随机共振去噪方法 | 发明专利 | CN201810199562.1 | CN108550116A | 2021-11-09 |
3 | 一种热场温度-硅单晶直径非线性时滞系统智能辨识方法 | 发明专利 | CN201710615951.3 | CN107526294B | 2020-09-15 |
4 | 一种非线性时滞动态系统模型智能辨识方法 | 发明专利 | CN201710615951.3 | CN107526294A | 2020-09-15 |
5 | 一种基于恒拉速控制结构的硅单晶直径控制方法 | 发明专利 | CN201710772913.9 | CN107868979B | 2020-05-22 |
6 | 一种基于恒拉速控制结构的硅单晶直径控制方法 | 发明专利 | CN201710772913.9 | CN107868979A | 2020-05-22 |
7 | MCZ硅单晶炉用超导磁体励磁高频开关电源的控制方法 | 发明专利 | CN201810075447.3 | CN108206629B | 2020-04-24 |
8 | MCZ硅单晶炉用超导磁体励磁高频开关电源的控制方法 | 发明专利 | CN201810075447.3 | CN108206629A | 2020-04-24 |
9 | 一种直拉硅单晶生长工艺优化固液界面氧分布调节方法 | 发明专利 | CN201710811360.3 | CN107747122B | 2020-03-31 |
10 | 一种直拉硅单晶生长工艺优化固液界面氧分布调节方法 | 发明专利 | CN201710811360.3 | CN107747122A | 2020-03-31 |
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