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序号	专利名称	专利类型	申请号	公开（公告）号	公布日期
1	一种采用近空间升华技术在衬底沉积形成半导体薄膜的方法和装置	发明专利	CN200910097899.2	CN101525743B	2011-06-15
2	一种连续化薄膜真空沉积方法及装置	发明专利	CN200910095388.7	CN101463471B	2011-05-04
3	一种采用近空间升华技术在衬底沉积形成半导体薄膜的方法和装置	发明专利	CN200910097899.2	CN101525743A	2009-09-09
4	一种连续化薄膜真空沉积方法及装置	发明专利	CN200910095388.7	CN101463471A	2009-06-24

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