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序号	专利名称	专利类型	申请号	公开（公告）号	公布日期
1	一种碳化硅二极管器件	实用新型	CN201820254563.7	CN207868205U	2018-09-14
2	一种碳化硅沟槽型JFET的制作方法	发明专利	CN201310187771.1	CN103354208B	2016-01-06
3	一种碳化硅沟槽型JFET的制作方法	发明专利	CN201310187771.1	CN103354208A	2013-10-16

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