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序号	专利名称	专利类型	申请号	公开（公告）号	公布日期
1	场终止型功率器件的制造方法	发明专利	CN201810003581.2	CN109994544A	2019-07-09
2	半导体功率器件的终端结构及其制造方法	发明专利	CN201510845704.3	CN106803515A	2017-06-06
3	MOSFET功率器件的终端结构	实用新型	CN201420050226.8	CN203707142U	2014-07-09
4	MOSFET功率器件的终端结构	实用新型	CN201420066958.6	CN203707138U	2014-07-09
5	绝缘栅双极晶体管及其制造方法	发明专利	CN201410055323.0	CN103855206A	2014-06-11
6	MOS栅极器件的制造方法	发明专利	CN201410074718.5	CN103855034A	2014-06-11

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