商标信息1
| 序号 | 商标名称 | 国际分类 | 注册号 | 状态 | 申请日期 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | ZXMD | 09类-科学仪器 | 21089129 | 商标已注册 | 2016-08-24 | 查看 |
专利信息19
| 序号 | 专利名称 | 专利类型 | 申请号 | 公开(公告)号 | 公布日期 |
|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 硅漂移探测器与放大器的制冷封装结构 | 发明专利 | CN202110616625.0 | CN113192944A | 2021-07-30 |
| 2 | 一种硅漂移探测器与结型场效应晶体管集成的芯片 | 实用新型 | CN202022218636.7 | CN213093204U | 2021-04-30 |
| 3 | 一种扇形交替式硅像素探测器 | 实用新型 | CN202021472865.5 | CN212542438U | 2021-02-12 |
| 4 | 一种单面阴极为螺旋环结构的硅像素探测器及其阵列 | 实用新型 | CN202021476273.0 | CN212517206U | 2021-02-09 |
| 5 | 一种多像素超小电容X射线探测单元及探测器 | 实用新型 | CN202021694270.4 | CN212380427U | 2021-01-19 |
| 6 | 一种硅漂移探测器与金属氧化物半导体场效应晶体管集成器件 | 实用新型 | CN202022222153.4 | CN212342629U | 2021-01-12 |
| 7 | 一种梳状硅像素探测单元及梳状硅像素探测器 | 实用新型 | CN202021495440.6 | CN212323002U | 2021-01-08 |
| 8 | 一种硅漂移探测器与金属氧化物半导体场效应晶体管集成器件 | 发明专利 | CN202011065727.X | CN112071874A | 2020-12-11 |
| 9 | 一种硅漂移探测器与结型场效应晶体管集成芯片及制作方法 | 发明专利 | CN202011062072.0 | CN112071873A | 2020-12-11 |
| 10 | 一种多像素超小电容X射线探测单元及探测器 | 发明专利 | CN202010817122.5 | CN111969069A | 2020-11-20 |
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