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序号	专利名称	专利类型	申请号	公开（公告）号	公布日期
1	降低基区电阻率的GaN基HBT外延结构及生长方法	发明专利	CN201510309494.6	CN104900689B	2019-05-17
2	一种具有极化诱导掺杂高阻层的GaN基HEMT结构及生长方法	发明专利	CN201410505205.5	CN104241352B	2018-10-02
3	降低基区电阻率的GaN基HBT外延结构及生长方法	发明专利	CN201510309494.6	CN104900689A	2015-09-09
4	一种具有极化诱导掺杂高阻层的GaN基HEMT结构及生长方法	发明专利	CN201410505205.5	CN104241352A	2014-12-24

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