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    广东先导微电子科技有限公司

    开业
    • 官网:-
    • 地址:清远市高新区创兴三路16号A车间
    • 简介:-
    • 商标信息 0
    • 专利信息 38
    • 软件著作权 0
    • 作品著作权 0
    • 网站备案 0

    商标信息0

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    专利信息38

    序号 专利名称 专利类型 申请号 公开(公告)号 公布日期
    1 二丁基氧化锡的制备方法 发明专利 CN202111178773.5 CN113816987A 2021-12-21
    2 一种高纯铝的区熔方法 发明专利 CN202111001960.6 CN113802010A 2021-12-17
    3 三甲基铋的制备方法 发明专利 CN202111174287.6 CN113801164A 2021-12-17
    4 一种磷化铟衬底晶片的清洗方法 发明专利 CN202111045844.4 CN113793801A 2021-12-14
    5 一种二茂铁提纯装置及提纯方法 发明专利 CN202111206719.7 CN113788863A 2021-12-14
    6 一种碲锌镉晶片的加工方法 发明专利 CN202111046623.9 CN113787637A 2021-12-14
    7 一种炉膛高温隔热装置及中频炉 实用新型 CN202120524319.X CN215113890U 2021-12-10
    8 无蜡垫制盘系统 实用新型 CN202120730503.X CN215095093U 2021-12-10
    9 一种磷化铟尾料制备磷化铟多晶的方法 发明专利 CN202111045842.5 CN113774491A 2021-12-10
    10 晶片测厚用垫块 实用新型 CN202120754524.5 CN215064224U 2021-12-07

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