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专利信息5
| 序号 | 专利名称 | 专利类型 | 申请号 | 公开(公告)号 | 公布日期 |
|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 一种高密度NH3+SiH4弧放电等离子体发生装置 | 实用新型 | CN201120573876.7 | CN202473623U | 2012-10-03 |
| 2 | 一种用于直流弧放电高密度等离子体发生装置的冷却板 | 实用新型 | CN201220000880.9 | CN202465873U | 2012-10-03 |
| 3 | 一种用于弧放电高密度等离子体发生装置的阴极电极 | 实用新型 | CN201120574359.1 | CN202465872U | 2012-10-03 |
| 4 | 一种三阴极多级直流弧放电等离子体发生装置 | 实用新型 | CN201120128426.7 | CN202111925U | 2012-01-11 |
| 5 | 一种单阴极多级直流弧放电等离子体发生装置 | 实用新型 | CN201120129195.1 | CN202095169U | 2011-12-28 |
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