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序号	专利名称	专利类型	申请号	公开（公告）号	公布日期
1	一种中高压的沟槽式功率金氧半场效晶体管的结构与制造方法	发明专利	CN201910143557.3	CN109860308B	2022-02-15
2	一种中高压的构槽式功率金氧半场效晶体管的结构	实用新型	CN201920243165.X	CN210040207U	2020-02-07
3	一种中高压的构槽式功率金氧半场效晶体管的结构与制造方法	发明专利	CN201910143557.3	CN109860308A	2019-06-07
4	一种具有超深沟槽的瞬态电压抑制器结构的制造方法	发明专利	CN201510033881.1	CN104616988B	2018-12-11
5	一种具有超深沟槽的瞬态电压抑制器结构	发明专利	CN201510034207.5	CN104617158B	2018-06-05
6	一种具有超深沟槽的瞬态电压抑制器结构	实用新型	CN201520047004.5	CN204696123U	2015-10-07
7	一种具有超深沟槽的瞬态电压抑制器结构	实用新型	CN201520047127.9	CN204651327U	2015-09-16
8	一种具有超深沟槽的瞬态电压抑制器结构	发明专利	CN201510034207.5	CN104617158A	2015-05-13
9	一种具有超深沟槽的瞬态电压抑制器结构	发明专利	CN201510033858.2	CN104617157A	2015-05-13
10	一种具有超深沟槽的瞬态电压抑制器结构的制造方法	发明专利	CN201510033881.1	CN104616988A	2015-05-13

软件著作权2

序号	软件名称	软件简称	版本号	登记号	分类号	首次发表日期	登记批准日期
1	应能高性能ESD电路保护集成控制软件	-	V1.0	2020SR0904161	-	2019-07-17	2020-08-10
2	应能超结高压功率MOSFET监测防护软件	-	V1.0	2020SR0902307	-	2019-07-17	2020-08-10

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