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序号	专利名称	专利类型	申请号	公开（公告）号	公布日期
1	用于射频微波功放器件的封装结构	实用新型	CN201821249020.2	CN208690239U	2019-04-02
2	用于射频微波功放器件的封装结构	发明专利	CN201810879851.6	CN108807293A	2018-11-13
3	一种用于GaN HEMT芯片生产中通孔的刻蚀方法	发明专利	CN201710075356.5	CN106910711A	2017-06-30
4	一种新型栅结构的GaN基HEMT器件	实用新型	CN201620846582.X	CN205920974U	2017-02-01
5	一种新型栅结构的GaN基HEMT器件	发明专利	CN201610638795.8	CN106098770A	2016-11-09
6	一种低噪音全自动增益控制高电源抑制晶体振荡器	发明专利	CN201110176994.9	CN102857174B	2014-12-31
7	一种温度补偿式晶体振荡器及其通讯方法	发明专利	CN201110078899.5	CN102130680B	2013-05-08
8	一种低噪音全自动增益控制高电源抑制晶体振荡器	发明专利	CN201110176994.9	CN102857174A	2013-01-02
9	一种温度补偿式晶体振荡器及其通讯方法	发明专利	CN201110078899.5	CN102130680A	2011-07-20

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