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  • 启越涌阳

    重庆启越涌阳微电子科技发展有限公司

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    • 地址:重庆市高新区金凤镇凤笙路15号6幢
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    • 作品著作权 0
    • 网站备案 0

    商标信息0

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    专利信息12

    序号 专利名称 专利类型 申请号 公开(公告)号 公布日期
    1 直立式石墨烯薄膜场发射阴极及其制作方法、电极 发明专利 CN201610749482.X CN106128906B 2017-12-19
    2 选择性生长立式石墨稀的制备方法 发明专利 CN201610540870.7 CN106191802A 2016-12-07
    3 直立式石墨烯薄膜场发射阴极及其制作方法、电极 发明专利 CN201610749482.X CN106128906A 2016-11-16
    4 直流电压式化学气相沉积设备 实用新型 CN201620464984.3 CN205662598U 2016-10-26
    5 石墨烯作为X射线管阴极及其X射线管 发明专利 CN201310166516.9 CN103219212B 2015-06-10
    6 石墨烯作为X射线管阴极及其X射线管 发明专利 CN201310166516.9 CN103219212A 2013-07-24
    7 一种石墨烯阴极荧光灯 发明专利 CN201010558220.8 CN102159000B 2013-05-01
    8 具有簇状分层结构的碳基纳米新型场致电子发射材料及其制备方法 发明专利 CN201010191101.3 CN101887828B 2013-04-24
    9 具有负电子亲和势的分形石墨烯材料及其制备方法和应用 发明专利 CN201010505469.2 CN101966987B 2012-10-03
    10 石墨烯新的用途以及一种石墨烯阴极荧光灯 发明专利 CN201010558220.8 CN102159000A 2011-08-17

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    作品著作权0

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