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序号	专利名称	专利类型	申请号	公开（公告）号	公布日期
1	一种ZnS基底长波红外增透保护膜及其制备方法	发明专利	CN202011460832.3	CN112698430A	2021-04-23
2	一种用于制备光学ZnS材料的CVD设备	发明专利	CN202011460588.0	CN112663024A	2021-04-16
3	一种光学ZnS材料及其制备方法	发明专利	CN202011457261.8	CN112626488A	2021-04-09
4	一种大角度中长波红外增透保护膜及其制备方法	发明专利	CN202011457256.7	CN112578481A	2021-03-30
5	一种铈离子掺杂钆镓铝石榴石闪烁晶体生长的装置及工艺	发明专利	CN201910757109.2	CN112391679A	2021-02-23
6	一种连续沉积金刚石薄膜设备	实用新型	CN202020739466.4	CN212293743U	2021-01-05
7	一种掺硼金刚石薄膜制备方法	发明专利	CN202010380094.5	CN111549331A	2020-08-18
8	一种连续沉积金刚石薄膜的方法及其设备	发明专利	CN202010380075.2	CN111549330A	2020-08-18
9	陶瓷绝缘子（四）	外观专利	CN201930180059.7	CN305380999S	2019-10-11
10	一种溴化镧闪烁晶体的生长方法及所得晶体	发明专利	CN201710494746.6	CN107287657B	2019-10-08

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序号	网站名	网址	备案号	主办单位性质	审核日期
1	中材人工晶体研究院有限公司	www.risc.com.cn	京ICP备20015470号	企业	2021-06-22
2	中材人工晶体研究院有限公司	www.risc.cn	京ICP备20015470号	企业	2021-06-22
3	中材人工晶体研究院有限公司	www.jtxb.cn	京ICP备20015470号	企业	2020-12-28

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