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官网： www.yj-semitech.com/index.html

地址：陕西省西咸新区沣西新城开元路以北、兴信路以西、纵九路以东

商标信息 12
专利信息 43
软件著作权 0
作品著作权 3
网站备案 2

商标信息12

序号	商标名称	国际分类	注册号	状态	申请日期	操作
1	ORIGIN OF EXCELLENCE	35类-广告销售	55438007	等待实质审查	2021-04-21	查看
2	ORIGIN OF EXCELLENCE	42类-网站服务	55417720	等待实质审查	2021-04-21	查看
3	ORIGIN OF EXCELLENCE	09类-科学仪器	55415784	等待实质审查	2021-04-21	查看
4	图形	42类-网站服务	53720015	等待实质审查	2021-02-18	查看
5	源杰半导体	42类-网站服务	53716943	初审公告	2021-02-18	查看
6	ORIGIN OF EXCELLENCE	42类-网站服务	53716941	初审公告	2021-02-18	查看
7	YJ	09类-科学仪器	53715535	等待实质审查	2021-02-18	查看
8	ORIGIN OF EXCELLENCE	09类-科学仪器	53710937	等待实质审查	2021-02-18	查看
9	源杰半导体	09类-科学仪器	53709371	初审公告	2021-02-18	查看
10	ORIGIN OF EXCELLENCE	35类-广告销售	53705613	初审公告	2021-02-10	查看

专利信息43

序号	专利名称	专利类型	申请号	公开（公告）号	公布日期
1	一种铝量子阱激光器及其制备方法	发明专利	CN202110628970.6	CN113078553B	2021-08-13
2	一种铝量子阱激光器及其制备方法	发明专利	CN202110628970.6	CN113078553A	2021-08-13
3	半导体器件制备方法及半导体器件	发明专利	CN202011461968.6	CN112271209B	2021-08-13
4	半导体器件制备方法及半导体器件	发明专利	CN202011461968.6	CN112271209A	2021-08-13
5	一种铝量子阱激光器及其制备方法	发明专利	CN202110628970.6	CN113078553A	2021-07-06
6	通讯用光放大器与光电二极管探测器集成元件及制备方法	发明专利	CN202010682758.3	CN111816669B	2021-06-25
7	通讯用光放大器与光电二极管探测器集成元件及制备方法	发明专利	CN202010682758.3	CN111816669A	2021-06-25
8	一种25G抗反射激光器的制备工艺	发明专利	CN202010415176.9	CN111541148B	2021-06-11
9	一种10G抗反射激光器及其制备工艺	发明专利	CN202010415177.3	CN111541149B	2021-06-08
10	一种10G抗反射激光器及其制备工艺	发明专利	CN202010415177.3	CN111541149A	2021-06-08

软件著作权0

暂无信息

暂无软件著作权

作品著作权3

序号	作品名	作品类别	登记号	创作完成日期	首次发表日期	登记批准日期
1	origin of excellence	-	国作登字-2021-F-00110853	-	-	-
2	源杰半导体	-	国作登字-2021-F-00105968	-	-	-
3	YJ	-	国作登字-2021-F-00105967	-	-	-

网站备案2

序号	网站名	网址	备案号	主办单位性质	审核日期
1	陕西源杰半导体科技股份有限公司	www.yj-semitech.com;www.oe-semiconductor.com	陕ICP备17011567号	企业	2021-02-01
2	陕西源杰半导体科技股份有限公司	www.yj-semitech.com;www.oe-semiconductor.com	陕ICP备17011567号	企业	2021-02-01

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