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序号	专利名称	专利类型	申请号	公开（公告）号	公布日期
1	带低阻薄层衬底的高压硅管及制法	发明专利	CN89103536.2	CN1014570B	1991-10-30
2	功率MOS器件的栅保护器	实用新型	CN90216873.8	CN2073169U	1991-03-13
3	具有低阻薄层衬底结构的高压硅管	发明专利	CN89103536.2	CN1047758A	1990-12-12
4	高压垂直扩散场效应管及其制法	发明专利	CN88106151.4	CN1010066B	1990-10-17
5	具有单层衬底结构的高压晶体管	实用新型	CN88213133.8	CN2055292U	1990-03-28
6	高压垂直扩散场效应管及其制法	发明专利	CN88106151.4	CN1040707A	1990-03-21

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