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  • 源创微纳

    哈尔滨源创微纳科技开发有限公司

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    专利信息8

    序号 专利名称 专利类型 申请号 公开(公告)号 公布日期
    1 一种AlN热隔离平板双面微结构的半导体式气体传感器 发明专利 CN201010300140.2 CN101762623B 2012-11-21
    2 复合纳米半导体Cl2敏感材料In2O3/Nb2O5/Pt的制备方法 发明专利 CN201010032466.1 CN101769888B 2012-09-05
    3 一种改性锆钛酸铅压电陶瓷粉体的制备方法 发明专利 CN201010032479.9 CN101767994B 2012-05-09
    4 一种溶胶凝胶法制备Zr(BiNa)BaTiO无铅压电陶瓷纳米粉体的方法 发明专利 CN201010032467.6 CN101767992B 2012-05-09
    5 复合纳米半导体Cl2敏感材料In2O3/Nb2O5/Pt的制备方法 发明专利 CN201010032466.1 CN101769888A 2010-07-07
    6 一种改性锆钛酸铅压电陶瓷粉体的制备方法 发明专利 CN201010032479.9 CN101767994A 2010-07-07
    7 溶胶凝胶法制备Zr(BiNa)BaTiO无铅压电陶瓷纳米粉体 发明专利 CN201010032467.6 CN101767992A 2010-07-07
    8 一种AlN热隔离平板双面微结构的半导体式气体传感器及其制造方法 发明专利 CN201010300140.2 CN101762623A 2010-06-30

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