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  • 三时纪新

    浙江三时纪新材科技有限公司

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    • 地址:浙江省湖州市敢山路1919号
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    专利信息42

    序号 专利名称 专利类型 申请号 公开(公告)号 公布日期
    1 一种非多孔性球形二氧化硅开口剂的制备方法、由此得到的薄膜开口剂及其应用 发明专利 CN202080001771.6 CN112384475B 2022-03-04
    2 一种氧化硅制备系统 实用新型 CN202122229697.8 CN215886385U 2022-02-22
    3 一种甲基三氯硅烷的利用系统 实用新型 CN202120619696.1 CN215886384U 2022-02-22
    4 半导体封装材料或基板材料的制备方法,由此得到的半导体封装材料或基板材料及其应用 发明专利 CN202111021555.0 CN113736142A 2021-12-03
    5 半导体封装材料,基板材料的制备方法,由此得到的半导体封装材料,基板材料及其应用 发明专利 CN202110931525.7 CN113603103A 2021-11-05
    6 一种球形二氧化硅粉体填料的制备方法、由此得到的粉体填料及其应用 发明专利 CN202080001763.1 CN112236393B 2021-10-22
    7 一种球形二氧化硅粉体填料的制备方法、由此得到的粉体填料及其应用 发明专利 CN202110853875.6 CN113461022A 2021-10-01
    8 一种聚硅氧烷粉体填料的制备方法、由此得到的聚硅氧烷粉体填料及其应用 发明专利 CN201980016661.4 CN111819248B 2021-08-20
    9 一种聚硅氧烷粉体填料的制备方法、由此得到的聚硅氧烷粉体填料及其应用 发明专利 CN201980016661.4 CN111819248A 2021-08-20
    10 一种中空二氧化硅粉体填料的制备方法、由此得到的粉体填料及其应用 发明专利 CN202110530203.1 CN113248943A 2021-08-13

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