商标信息0
专利信息42
序号 | 专利名称 | 专利类型 | 申请号 | 公开(公告)号 | 公布日期 |
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1 | 一种非多孔性球形二氧化硅开口剂的制备方法、由此得到的薄膜开口剂及其应用 | 发明专利 | CN202080001771.6 | CN112384475B | 2022-03-04 |
2 | 一种氧化硅制备系统 | 实用新型 | CN202122229697.8 | CN215886385U | 2022-02-22 |
3 | 一种甲基三氯硅烷的利用系统 | 实用新型 | CN202120619696.1 | CN215886384U | 2022-02-22 |
4 | 半导体封装材料或基板材料的制备方法,由此得到的半导体封装材料或基板材料及其应用 | 发明专利 | CN202111021555.0 | CN113736142A | 2021-12-03 |
5 | 半导体封装材料,基板材料的制备方法,由此得到的半导体封装材料,基板材料及其应用 | 发明专利 | CN202110931525.7 | CN113603103A | 2021-11-05 |
6 | 一种球形二氧化硅粉体填料的制备方法、由此得到的粉体填料及其应用 | 发明专利 | CN202080001763.1 | CN112236393B | 2021-10-22 |
7 | 一种球形二氧化硅粉体填料的制备方法、由此得到的粉体填料及其应用 | 发明专利 | CN202110853875.6 | CN113461022A | 2021-10-01 |
8 | 一种聚硅氧烷粉体填料的制备方法、由此得到的聚硅氧烷粉体填料及其应用 | 发明专利 | CN201980016661.4 | CN111819248B | 2021-08-20 |
9 | 一种聚硅氧烷粉体填料的制备方法、由此得到的聚硅氧烷粉体填料及其应用 | 发明专利 | CN201980016661.4 | CN111819248A | 2021-08-20 |
10 | 一种中空二氧化硅粉体填料的制备方法、由此得到的粉体填料及其应用 | 发明专利 | CN202110530203.1 | CN113248943A | 2021-08-13 |
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