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序号	专利名称	专利类型	申请号	公开（公告）号	公布日期
1	一种深紫外线发光二极管及其制备方法	发明专利	CN201911412342.3	CN111129249B	2021-08-10
2	一种深紫外线发光二极管及其制备方法	发明专利	CN201911412342.3	CN111129249A	2021-08-10
3	金属氮化镓复合衬底外延生长方法及发光二极管外延结构	发明专利	CN201910908504.6	CN110707184B	2021-06-18
4	金属氮化镓复合衬底外延生长方法及发光二极管外延结构	发明专利	CN201910908504.6	CN110707184A	2021-06-18
5	一种LED封装结构	发明专利	CN201911105889.9	CN110864232B	2021-04-30
6	发光二极管外延结构的制备方法	发明专利	CN201811510723.0	CN109638129B	2021-04-27
7	一种深紫外LED芯片的制造方法	发明专利	CN201710388108.6	CN108963037B	2021-04-27
8	一种隔离槽的制造方法及其应用	发明专利	CN201910400487.5	CN110112264B	2020-12-18
9	一种半导体元件的切割方法及制造方法	发明专利	CN201811416176.X	CN109599357B	2020-12-18
10	一种发光二极管芯片及其制备方法	发明专利	CN201811510747.6	CN109326701B	2020-12-18

共 28 页

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1	合肥彩虹蓝光科技有限公司	www.epilight.com.cn	皖ICP备15015365号	企业	2019-08-19

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